在5月15日的GSA Memory+論壇上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明先生發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，闡述新時代下中國存儲器市場的巨大需求和發展機遇。同時在去年福建晉華因與美光專利糾紛被禁運的影響下，朱一明在論壇上特別強調了合肥長鑫重視知識產權，具有完善的合規的技術來源。如果你喜歡一品知識產權專利申請網的文章，歡迎關注!我們將為您奉上更多有趣的專利資訊!
朱一明先生首先回顧了中國在DRAM領域的發展歷程(以下內容為芯智訊整理，并不僅限于朱一明演講內容)：
早在1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的(硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS)1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。那時韓國、臺灣甚至還沒有電子工業科研基礎。
隨后，在20世紀80年代，無錫742廠通過引進東芝3英寸生產線，量產64K DAM。也許這是無錫后來的半導體情節的由來。此后，908工程落戶無錫華晶，建設首條6英寸生產線，從AT&T引進制程技術。但是，由于多方面的原因，建設周期過長導致技術落后失去了競爭力。
1991年NEC和首鋼合資成立首鋼NEC并在1994年量產4M DRAM，為中國培養了第一批半導體制造人才。隨后在1997年，NEC又在上海設立合資公司華虹NEC，建設了中國第一條8英寸生產線并成功量產。而隨著NEC設立爾必達后退出DRAM領域，華虹轉型做起了代工。
2005年兆易創新成立，而作為國產存儲芯片設計公司，兆易創新受益于中芯國際制造平臺的發展機會，并于2011年成功抓住了Serial Flash替代Parallel Flash的發展機遇，積極推出適用于手機、機頂盒、DVD等消費電子的NOR Flash產品，為自身贏得了發展空間。2012年，兆易創新成為中國大陸最大的Serial NOR Flash芯片設計企業，同時也是最大的代碼型閃存芯片本土設計企業。目前兆易創新在該領域排名第三。朱一鳴表示，這證明了即使是小眾的市場，中國廠商也可以生產合乎客戶要求的產品。
2017年9月，國家大基金宣布入股兆易創新取得約11%股權，成為了其第二大股東。隨后，兆易創新宣布與合肥市產業投資控股集團簽署合作協議，研發19納米制程的12吋晶圓DRAM，預算為人民幣180億元，兆易創新出資20%。而該項目依托的就是合肥睿力集成(由長鑫集成控股，而長集成則是長鑫存儲的母公司)。
相對兆易創新而言，成立于2016年的長鑫存儲還只是一家初創公司。但是，長鑫存儲并不是從0開始，而是站在巨人的肩膀上前行。
長鑫存儲的DRAM技術主要來自于已破產的德系DRAM廠商奇夢達，當然，另一部則應該是來自于前日本DRAM廠商爾必達公司的前員工。
爾必達于2012年倒閉并由美光并購后，爾必達原社長坂本幸雄與爾必達研發團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技(Sino King)，除了網羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入。2016年之時就傳出與合肥市政府達成合作。
在此次論壇上，朱一明也強調長鑫存儲通過與奇夢達的合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過15000片。建立了嚴謹合規的研發體系并結合當前先進設備完成了大幅度的工藝改進，開發出獨有的技術體系，拉近了與世界先進水平的技術差距。
此外，長鑫存儲還與ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material和TechInsight等眾多的半導體及設備、測試儀器廠商達成了緊密的合作。
在晶圓廠建設方面，2017年5月，長鑫存儲就宣布投資72億美元，興建12吋晶圓廠以發展DRAM產品，項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產能為12.5萬片晶圓。
據朱一明介紹，長鑫存儲花了14個月的時間就完成了晶圓廠建設，一共花費25億美金用在研發和資本支出。
另外去年福建晉華由于與美光的專利糾紛，最終導致晉華被禁運，徹底停擺。而這也對長鑫存儲造成了一定的影響。因此，長鑫存儲也格外的低調，格外的重視研發的合規和IP策略。朱一明表示，目前長鑫存儲已經擁有16000項專利申請。
對于長鑫存儲的DRAM芯片進展，去年7月就有消息顯示其8Gb LPDDR4規格的DRAM芯片已經投片。而根據芯智訊了解到的信息顯示，長鑫存儲將于今年四季度正式量產。